下記の通り研究集会を開催いたします。ご興味のある方は是非ご参加ください。
 
主催：　応用力学研究所 全国共同利用
　　　　エネルギー基盤技術国際教育研究センター
場所：　応用力学研究所Ｗ６０１
日時：　2016年2月5日(金) 15:30～17:00
 
15:30～16:15
「窒化物半導体の成長モードに関する研究(仮)」
　松岡隆志 教授（東北大学 金属材料研究所）
 
16:15～17:00
「Challenges and future perspectives in HVPE-GaN growth」
　Michal Bockowski 教授 (Institute of High Pressure Physics, Poland)
 
 
世話人・お問い合わせ：
寒川義裕 kangawariam.kyushu-u.ac.jp