高密度自然エネルギー技術研究分野 – Yoshihiro KANGAWA –
創自然エネルギー部門 高密度自然エネルギー技術研究分野
研究テーマ事例
- 超高効率多接合太陽電池用III-V-N系半導体の結晶成長技術開発
- パワーデバイス用ワイドバンドギャップ半導体材料の溶液成長技術開発
- 量子計算科学による化合物半導体の表面構造状態図解析
研究概要
近年、エネルギー創出法の多様化（創エネ）および利用効率の向上（省エネ）に対する社会的要請が高まってきています。この要請を受けて、材料開発の分野では、創エネ・省エネに資する新たな機能性結晶の開発が進められています。新規機能性結晶の創製に向けて、理論・実験の両面から種々の結晶成長技術の開発を行っています。具体的には、窒化物半導体、III-V-N系半導体などの化合物半導体をターゲット材料として、それらの溶液成長法、分子線エピタキシー成長法、有機金属気相成長法における成長機構の解明や成長条件の最適化を遂行しています。
Schematic of the super-high-efficiency multi-junction solar cells and the module.
TEM bright field image of AlN grown by newly developed solid source solution growth (3SG) method and selected area electron beam diffraction patterns.
Phase diagram of the growth form obtained by ab initio-based approach and schematic of the growth mode.